在美国制裁下，对北京而言，关键并不在于生产出“完美”的半导体，而在于生产一种国产芯片，并且能在未来数年中持续改进——这是科技专家Stonal首席执行官罗宾·里瓦东发表在法国周刊《快报》经济专栏的分析。
2025年7月26日，中国上海世界人工智能大会的华为展位。 © REUTERS - Go Nakamura摄影
里瓦东在其专栏文章写道，计算机爱好者喜欢“掀开机盖”一探究竟。其中一位爱好者做出了一项颇具启示性的发现。五月底，一名用户在检查美国海盗船（Corsair）的一条内存条时，意外发现里面用的是中国芯片，而不是惯常见到的韩国或美国硅片。内存模块上印着 CXMT（长鑫存储）的标识——人们原以为（其实错了）它只服务于中国国内市场。
这一事件恰好概括了中国今年三月通过的“第十五个五年规划”中直言不讳提出的战略。规划关于集成电路的开篇大意可以译作：“精炼并完善成熟制程节点”。外界原本期待中国会以某种戏剧性的技术突破来绕开美国制裁，但中国采取的恰恰相反：它拿成熟甚至较老的工艺做文章，不断打磨、堆叠，并把它们推到极限。
文章续道你，最醒目的例证来自光刻——也就是把电路图形投射到硅上的步骤。由于美国制裁，中国无法获得荷兰 ASML 的极紫外（EUV）光刻机——这种设备能够在一次曝光中刻画最细微的图形。华为则在 2022 年 6 月提交了一项专利，并于 2025 年底公开。其应对方案是：不再依赖一次超高精度曝光，而是使用较旧的设备，将同一图形反复曝光、重复叠加，多达六七次，从而把线路收紧到接近先进芯片的水平。从原理到工厂实践，都是用“蛮力”取代光学精度。
专利确实存在，但产业化仍处于蹒跚阶段。现实中，每增加一层曝光，都会放大对位误差并拉低良率，也就是最终真正可用芯片的比例。中芯国际（SMIC）在最先进工艺上的良率，仍明显低于台湾龙头台积电（TSMC）。然而，与中国对自主可控的执念相比，性能损失、成本增加和能源浪费都显得不那么重要。对北京而言，目标不是造出完美芯片，而是造出一种国产芯片，并能年复一年地持续改进。
用旧砖砌新墙
文章表示，中国所采取的另一项战略证据，于 5 月 25 日在上海举行的 IEEE（全球电子工程师协会）研讨会上公开。华为半导体负责人在那里提出了一套数学理论：衡量进步的指标不再是晶体管尺寸，而是电路响应速度。其核心思路是在多个层级上堆叠功能模块，再通过精细键合将其焊接在一起。华为据此宣称，可以不再依赖 EUV 设备。分析人士认为，这与其说是一场革命，不如说是对既有三维集成技术的一次巧妙再包装。但这恰恰体现了中国的做法：把现成的“砖块”改造成一条产业化路径。
在敏感的存储器市场，同样的趋势正在更大规模地上演。为 AI 芯片供货的高带宽内存（HBM）需求激增，几乎抽干了其他存储市场的资源。三星、SK 海力士和美光把重心放在利润最高的细分领域，从而在入门和中端市场留下了空档。长鑫存储正是从这些空档切入：先从 Corsair 模块这样的低端产品入手，如今又开始向高端推进。
六月初，北京呼吁本土厂商在高端内存领域“总动员”。逻辑并没有改变：先接受一个效率较低的产品，再通过大规模出货和生产学习逐步缩小差距。只是，这种对成熟工艺的执着还只是故事的一半。要求“精炼现有技术”的五年规划，同时也在资助所有可能替代硅的路线探索。例如三维堆叠、电子与光子的结合，以及新材料（如氧化镓和金刚石）。
文章最后提醒道，中国并没有在“追赶”与“超越”之间二选一。它同时做这两件事：一方面从成熟技术中榨取最大价值，另一方面又为每一种潜在替代技术都押下一个“期权”。
实施上，这一策略在核能领域早已出现——中国与俄罗斯一样，是少数同时并行探索大多数第四代核技术路线的国家之一。
依里瓦东之见，西方最大的误判，在于以为半导体战争只关乎制程线宽的精细程度。
读完这篇《快报》经济专栏文章，我们可发现先前在讨论中国芯片时，焦点往往集中在“能否突破7纳米、5纳米、3纳米”等先进制程；目前则越来越多分析开始关注另一件事——中国是否能够建立一个不依赖外部供应链、能够持续迭代升级的完整产业体系。
译注：罗宾·里瓦东（Robin Rivaton）现任 Stonal 首席执行官，并为法国“政治创新基金会”（Fondation pour l’innovation politique）科学委员会成员。
